casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUM10250E-GE3
codice articolo del costruttore | SUM10250E-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUM10250E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ThunderFET® |
SUM10250E-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 63.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3002pF @ 125V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM10250E-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUM10250E-GE3-FT |
SIR644DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR646DP-T1-GE3
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SIR664DP-T1-GE3
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SIR688DP-T1-GE3
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SIR788DP-T1-GE3
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SIR802DP-T1-GE3
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SIR804DP-T1-GE3
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SIR808DP-T1-GE3
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SIR812DP-T1-GE3
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SIR814DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel