casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8415DB-T1-E1
codice articolo del costruttore | SI8415DB-T1-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8415DB-T1-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8415DB-T1-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.47W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
Pacchetto / caso | 4-XFBGA, CSPBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8415DB-T1-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8415DB-T1-E1-FT |
SIJ188DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ800DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHJ6N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHJ8N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ400DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ420DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ458DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation