casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STU3N62K3
codice articolo del costruttore | STU3N62K3 |
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Numero di parte futuro | FT-STU3N62K3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STU3N62K3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 385pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STU3N62K3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STU3N62K3-FT |
STB150N3LH6
STMicroelectronics
STB155N3H6
STMicroelectronics
STB18N55M5
STMicroelectronics
STB18NM60N
STMicroelectronics
STB26NM60ND
STMicroelectronics
STB27NM60ND
STMicroelectronics
STB2N62K3
STMicroelectronics
STB50N25M5
STMicroelectronics
STB5N52K3
STMicroelectronics
STB5N62K3
STMicroelectronics
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel