casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / STTH8003CY
codice articolo del costruttore | STTH8003CY |
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Numero di parte futuro | FT-STTH8003CY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Q Automotive |
STTH8003CY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 40A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 80µA @ 300V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | MAX247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTH8003CY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STTH8003CY-FT |
HN1D01FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2S03FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2S02JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS226,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAW56,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAV70,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS361,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS362TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS423(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel