casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / HN1D01FE(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | HN1D01FE(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-HN1D01FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HN1D01FE(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN1D01FE(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HN1D01FE(TE85L,F)-FT |
SS10P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel