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STMicroelectronics STS30N3LLH6

Numero parte MFG
STS30N3LLH6
quantità disponibile
52650 pezzi
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STS30N3LLH6 specificazioni

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Numero di parte futuro FT-STS30N3LLH6
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie DeepGATE™, STripFET™ VI
STS30N3LLH6 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4040pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS30N3LLH6 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STS30N3LLH6-FT

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