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STMicroelectronics STS26N3LLH6

Name: STS26N3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STS26N3LLH6
Price: 1.0184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (681 reviews)

Numero parte MFG: STS26N3LLH6

quantità disponibile: 40080 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.0184

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STS26N3LLH6.pdf

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STS26N3LLH6 specificazioni

codice articolo del costruttore	STS26N3LLH6
Numero di parte futuro	FT-STS26N3LLH6
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
STS26N3LLH6 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4040pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS26N3LLH6 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STS26N3LLH6-FT

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