casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STS13N3LLH5
codice articolo del costruttore | STS13N3LLH5 |
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Numero di parte futuro | FT-STS13N3LLH5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ V |
STS13N3LLH5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +22V, -20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STS13N3LLH5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STS13N3LLH5-FT |
STB85NS04Z
STMicroelectronics
STB8NM60D
STMicroelectronics
STB8NM60N
STMicroelectronics
STB9NK50ZT4
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STB9NK60ZDT4
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STB9NK70ZT4
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STL60NH3LL
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STL8NH3LL
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STL18N65M5
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STL3NM60N
STMicroelectronics
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel