casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL15N60M2-EP
codice articolo del costruttore | STL15N60M2-EP |
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Numero di parte futuro | FT-STL15N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2-EP |
STL15N60M2-EP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 418 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) HV |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL15N60M2-EP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL15N60M2-EP-FT |
STB12NM50N
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STB12NM60N
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STB130NS04ZBT4
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