casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL10N3LLH5
codice articolo del costruttore | STL10N3LLH5 |
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Numero di parte futuro | FT-STL10N3LLH5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ V |
STL10N3LLH5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±22V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL10N3LLH5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL10N3LLH5-FT |
STB16NS25T4
STMicroelectronics
STB16PF06LT4
STMicroelectronics
STB185N55F3
STMicroelectronics
STB190NF04T4
STMicroelectronics
STB19NM65N
STMicroelectronics
STB200N4F3
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STB200N6F3
STMicroelectronics
STB200NF04L
STMicroelectronics
STB200NF04T4
STMicroelectronics
STB20NK50ZT4
STMicroelectronics
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel