casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP60NE06L-16
codice articolo del costruttore | STP60NE06L-16 |
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Numero di parte futuro | FT-STP60NE06L-16 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STP60NE06L-16 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP60NE06L-16 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP60NE06L-16-FT |
STP10NM50N
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STP10NM65N
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A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
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5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
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