casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP17N80K5
codice articolo del costruttore | STP17N80K5 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STP17N80K5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ K5 |
STP17N80K5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 866pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP17N80K5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP17N80K5-FT |
IRFP450
STMicroelectronics
IRFP460
STMicroelectronics
SCT20N120
STMicroelectronics
SCT30N120
STMicroelectronics
SCT50N120
STMicroelectronics
STW11NB80
STMicroelectronics
STW11NM80
STMicroelectronics
STW12NK60Z
STMicroelectronics
STW12NM60N
STMicroelectronics
STW13NB60
STMicroelectronics
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel