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STMicroelectronics SCT20N120

Name: SCT20N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT20N120
Price: 12.584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (730 reviews)

Numero parte MFG: SCT20N120

quantità disponibile: 55010 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 12.584

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SCT20N120.pdf

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SCT20N120 specificazioni

codice articolo del costruttore	SCT20N120
Numero di parte futuro	FT-SCT20N120
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SCT20N120 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 20V
Vgs (massimo)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	175W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	HiP247™
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT20N120 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SCT20N120-FT

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