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STMicroelectronics STLD200N4F6AG

Name: STLD200N4F6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STLD200N4F6AG
Price: 1.159104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (466 reviews)

Numero parte MFG: STLD200N4F6AG

quantità disponibile: 25450 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.159104

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STLD200N4F6AG.pdf

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STLD200N4F6AG specificazioni

codice articolo del costruttore	STLD200N4F6AG
Numero di parte futuro	FT-STLD200N4F6AG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
STLD200N4F6AG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	172nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10700pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	158W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STLD200N4F6AG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STLD200N4F6AG-FT

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