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STMicroelectronics STD9HN65M2

Numero parte MFG
STD9HN65M2
quantità disponibile
17220 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.43596
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Data di spedizione
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MDmesh™ M2 MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STD9HN65M2 specificazioni

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Numero di parte futuro FT-STD9HN65M2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie MDmesh™ M2
STD9HN65M2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 820 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD9HN65M2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STD9HN65M2-FT

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