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STMicroelectronics STL3N10F7

Numero parte MFG
STL3N10F7
quantità disponibile
27720 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.773184
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STL3N10F7 specificazioni

codice articolo del costruttore STL3N10F7
Numero di parte futuro FT-STL3N10F7
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie DeepGATE™, STripFET™ VII
STL3N10F7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 408pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (2x2)
Pacchetto / caso 6-PowerWDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL3N10F7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STL3N10F7-FT

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