casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL11N60M2-EP
codice articolo del costruttore | STL11N60M2-EP |
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Numero di parte futuro | FT-STL11N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2-EP |
STL11N60M2-EP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) HV |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL11N60M2-EP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL11N60M2-EP-FT |
STB9NK80Z
STMicroelectronics
STB9NK90Z
STMicroelectronics
STB100NH02LT4
STMicroelectronics
STB10NK60ZT4
STMicroelectronics
STB11NM60FDT4
STMicroelectronics
STB11NM60T4
STMicroelectronics
STB11NM80T4
STMicroelectronics
STB12NM50FDT4
STMicroelectronics
STB12NM50N
STMicroelectronics
STB12NM60N
STMicroelectronics
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel