casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL11N60M2-EP
codice articolo del costruttore | STL11N60M2-EP |
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Numero di parte futuro | FT-STL11N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2-EP |
STL11N60M2-EP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) HV |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL11N60M2-EP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL11N60M2-EP-FT |
STB9NK80Z
STMicroelectronics
STB9NK90Z
STMicroelectronics
STB100NH02LT4
STMicroelectronics
STB10NK60ZT4
STMicroelectronics
STB11NM60FDT4
STMicroelectronics
STB11NM60T4
STMicroelectronics
STB11NM80T4
STMicroelectronics
STB12NM50FDT4
STMicroelectronics
STB12NM50N
STMicroelectronics
STB12NM60N
STMicroelectronics
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel