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STD7ANM60N Image

STMicroelectronics STD7ANM60N

Numero parte MFG
STD7ANM60N
quantità disponibile
51330 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.586816
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Data di spedizione
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STD7ANM60N specificazioni

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Numero di parte futuro FT-STD7ANM60N
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
STD7ANM60N Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 363pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD7ANM60N Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STD7ANM60N-FT

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