casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL200N45LF7
codice articolo del costruttore | STL200N45LF7 |
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Numero di parte futuro | FT-STL200N45LF7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ F7 |
STL200N45LF7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5170pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL200N45LF7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL200N45LF7-FT |
SIPC10N80C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC14N50C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC14N60C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC14N80C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC18N50C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC18N60CFDX1SA1
Infineon Technologies
SIPC19N80C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC26N50C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC26N60C3X1SA5
Infineon Technologies
SIPC26N60CFDX1SA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel