casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIPC14N80C3X1SA2
codice articolo del costruttore | SIPC14N80C3X1SA2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIPC14N80C3X1SA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
SIPC14N80C3X1SA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIPC14N80C3X1SA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIPC14N80C3X1SA2-FT |
PSMN5R6-100YSFX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R9-100YSFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-100ESFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-100PSFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R7-100YSFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R9-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMNR58-30YLHX
Nexperia USA Inc.
RAQ045P01MGTCR
Rohm Semiconductor
RDD020N50TL
Rohm Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel