casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STI30NM60N
codice articolo del costruttore | STI30NM60N |
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Numero di parte futuro | FT-STI30NM60N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II |
STI30NM60N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI30NM60N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STI30NM60N-FT |
TSM7ND65CI
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4ND65CI
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM13ND50CI
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM9ND50CI
Taiwan Semiconductor Corporation
STFW3N150
STMicroelectronics
STFW4N150
STMicroelectronics
STFW60N65M5
STMicroelectronics
STFW3N170
STMicroelectronics
STFW12N120K5
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STFW20N65M5
STMicroelectronics
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
Intel