casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STFW3N150
codice articolo del costruttore | STFW3N150 |
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Numero di parte futuro | FT-STFW3N150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STFW3N150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 939pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOWATT-218FX |
Pacchetto / caso | ISOWATT218FX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFW3N150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STFW3N150-FT |
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Texas Instruments
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
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A40MX04-1PL68
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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