casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD25310Q2T
codice articolo del costruttore | CSD25310Q2T |
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Numero di parte futuro | FT-CSD25310Q2T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD25310Q2T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 655pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.9W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WSON (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25310Q2T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD25310Q2T-FT |
CSD16413Q5A
Texas Instruments
CSD17303Q5
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
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XC2V250-6FGG456C
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M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
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M2GL090TS-1FGG676I
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EP1K100QC208-3N
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