casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STI200N6F3
codice articolo del costruttore | STI200N6F3 |
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Numero di parte futuro | FT-STI200N6F3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STI200N6F3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 101nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6265pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 330W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI200N6F3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STI200N6F3-FT |
CSD25501F3
Texas Instruments
TPS1101PWR
Texas Instruments
TSM2N7000KCT A3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1N45CT A3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1NB60SCT A3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4ND60CI
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM7ND60CI
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM7ND65CI
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4ND65CI
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM13ND50CI
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel