casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STI200N6F3
codice articolo del costruttore | STI200N6F3 |
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Numero di parte futuro | FT-STI200N6F3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STI200N6F3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 101nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6265pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 330W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI200N6F3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STI200N6F3-FT |
CSD25501F3
Texas Instruments
TPS1101PWR
Texas Instruments
TSM2N7000KCT A3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1N45CT A3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1NB60SCT A3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4ND60CI
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM7ND60CI
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TSM7ND65CI
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TSM4ND65CI
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TSM13ND50CI
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A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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10AX115U2F45I2SGE2
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