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STMicroelectronics STI200N6F3

Numero parte MFG
STI200N6F3
quantità disponibile
21920 pezzi
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
STripFET™ MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STI200N6F3 specificazioni

codice articolo del costruttore STI200N6F3
Numero di parte futuro FT-STI200N6F3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie STripFET™
STI200N6F3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 101nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6265pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STI200N6F3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STI200N6F3-FT

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