casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD25501F3
codice articolo del costruttore | CSD25501F3 |
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Numero di parte futuro | FT-CSD25501F3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FemtoFET™ |
CSD25501F3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76 mOhm @ 400mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.33nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | -20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 385pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-LGA (0.73x0.64) |
Pacchetto / caso | 3-XFLGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25501F3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD25501F3-FT |
CSD19533Q5AT
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