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STMicroelectronics STI19NM65N

Numero parte MFG
STI19NM65N
quantità disponibile
99800 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MDmesh™ II MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STI19NM65N specificazioni

codice articolo del costruttore STI19NM65N
Numero di parte futuro FT-STI19NM65N
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie MDmesh™ II
STI19NM65N Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STI19NM65N Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STI19NM65N-FT

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