casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IKZ50N65EH5XKSA1
codice articolo del costruttore | IKZ50N65EH5XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IKZ50N65EH5XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchStop™ 5 |
IKZ50N65EH5XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 85A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Potenza - Max | 273W |
Cambiare energia | 410µJ (on), 190µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 109nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/250ns |
Condizione di test | 400V, 25A, 12 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 53ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IKZ50N65EH5XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IKZ50N65EH5XKSA1-FT |
IHW15N120R2
Infineon Technologies
IHW15T120FKSA1
Infineon Technologies
IHW20N120R2
Infineon Technologies
IHW20T120FKSA1
Infineon Technologies
IHW30N100R
Infineon Technologies
IHW30N100TFKSA1
Infineon Technologies
IHW30N120R2
Infineon Technologies
IHW30N160R2FKSA1
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IHW30N60TFKSA1
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IHW30N90R
Infineon Technologies
XCV100-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FG256I
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XC3S250E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AX1000-FG484I
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A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
XA6SLX25T-3CSG324Q
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
10AX115H4F34E3LG
Intel