casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGWA19NC60HD
codice articolo del costruttore | STGWA19NC60HD |
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Numero di parte futuro | FT-STGWA19NC60HD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STGWA19NC60HD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 52A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
Potenza - Max | 208W |
Cambiare energia | 85µJ (on), 189µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 53nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25ns/97ns |
Condizione di test | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 31ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGWA19NC60HD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGWA19NC60HD-FT |
STGW80H65FB-4
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XA3S250E-4PQG208Q
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XC7S75-1FGGA484C
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5SGXEA7K2F40I3N
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5SGXEB5R3F40I3N
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EP4CE15E22C9LN
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XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.
APA075-TQ100A
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
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EP4SGX360HF35C4N
Intel