casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGYA120M65DF2
codice articolo del costruttore | STGYA120M65DF2 |
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Numero di parte futuro | FT-STGYA120M65DF2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
STGYA120M65DF2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 360A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 120A |
Potenza - Max | 625W |
Cambiare energia | 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 420nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 66ns/185ns |
Condizione di test | 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 202ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | MAX247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGYA120M65DF2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGYA120M65DF2-FT |
IRG6S330UPBF
Infineon Technologies
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