casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGB15H60DF
codice articolo del costruttore | STGB15H60DF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STGB15H60DF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGB15H60DF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
Potenza - Max | 115W |
Cambiare energia | 136µJ (on), 207µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 81nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 24.5ns/118ns |
Condizione di test | 400V, 15A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 103ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGB15H60DF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGB15H60DF-FT |
FGB40N60SM
ON Semiconductor
FGB40N6S2
ON Semiconductor
FGB40N6S2T
ON Semiconductor
FGB40T65SPD-F085
ON Semiconductor
FGB5N60UNDF
ON Semiconductor
HGT1S10N120BNS
ON Semiconductor
HGT1S12N60A4S9A
ON Semiconductor
HGT1S14N36G3VLS
ON Semiconductor
HGT1S20N35G3VLS
ON Semiconductor
HGT1S20N60A4S9A
ON Semiconductor
LCMXO2-256HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
5CEBA7F27C8N
Intel
EPF10K50EFC484-3N
Intel
5SGXEA5K3F40I3L
Intel
5SGSMD4E2H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7A12T-L2CPG238E
Xilinx Inc.
AGLP030V5-CSG289I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation