casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / HGT1S10N120BNS
codice articolo del costruttore | HGT1S10N120BNS |
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Numero di parte futuro | FT-HGT1S10N120BNS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HGT1S10N120BNS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | NPT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Potenza - Max | 298W |
Cambiare energia | 320µJ (on), 800µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 100nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
Condizione di test | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGT1S10N120BNS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HGT1S10N120BNS-FT |
FGP5N60LS
ON Semiconductor
HGTP12N60C3D
ON Semiconductor
HGTP3N60A4
ON Semiconductor
ISL9V3040P3
ON Semiconductor
HGTP20N60A4
ON Semiconductor
FGP3440G2-F085
ON Semiconductor
SGP23N60UFDTU
ON Semiconductor
SGP10N60RUFDTU
ON Semiconductor
SGP23N60UFTU
ON Semiconductor
FGP20N60UFDTU
ON Semiconductor
LFEC6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FG484
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-3
Intel
5SGSED8K3F40I3N
Intel
A54SX32A-2TQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10AQI208-3
Intel