casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STFI9N60M2
codice articolo del costruttore | STFI9N60M2 |
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Numero di parte futuro | FT-STFI9N60M2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II Plus |
STFI9N60M2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAKFP (TO-281) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFI9N60M2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STFI9N60M2-FT |
TSM160P02CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM042N03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4806CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM085P03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1N45DCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4425CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4435BCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4459CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM085N03PQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM085P03CV RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel