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Taiwan Semiconductor Corporation TSM085N03PQ33 RGG

Name: TSM085N03PQ33 RGG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM085N03PQ33 RGG
Price: 0.14744 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (187 reviews)

Numero parte MFG: TSM085N03PQ33 RGG

quantità disponibile: 12770 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.14744

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fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM085N03PQ33 RGG.pdf

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TSM085N03PQ33 RGG specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM085N03PQ33 RGG
Numero di parte futuro	FT-TSM085N03PQ33 RGG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM085N03PQ33 RGG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	52A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	817pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	37W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDFN (3x3)
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM085N03PQ33 RGG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM085N03PQ33 RGG-FT

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