casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STFI14N80K5
codice articolo del costruttore | STFI14N80K5 |
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Numero di parte futuro | FT-STFI14N80K5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ K5 |
STFI14N80K5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 445 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAKFP (TO-281) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFI14N80K5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STFI14N80K5-FT |
SIPC07N50C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC08N60C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC08N80C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC10N60C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC10N60CFDX1SA1
Infineon Technologies
SIPC10N80C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC14N50C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC14N60C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC14N80C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC18N50C3X1SA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel