casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STFI14N80K5
codice articolo del costruttore | STFI14N80K5 |
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Numero di parte futuro | FT-STFI14N80K5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ K5 |
STFI14N80K5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 445 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAKFP (TO-281) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFI14N80K5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STFI14N80K5-FT |
SIPC07N50C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC08N60C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC08N80C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC10N60C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC10N60CFDX1SA1
Infineon Technologies
SIPC10N80C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC14N50C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC14N60C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC14N80C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC18N50C3X1SA1
Infineon Technologies
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel