casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STF2HNK60Z
codice articolo del costruttore | STF2HNK60Z |
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Numero di parte futuro | FT-STF2HNK60Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH™ |
STF2HNK60Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF2HNK60Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STF2HNK60Z-FT |
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Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5CGXFC9C6F23I7N
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EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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