casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STW20NM65N
codice articolo del costruttore | STW20NM65N |
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Numero di parte futuro | FT-STW20NM65N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II |
STW20NM65N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW20NM65N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STW20NM65N-FT |
STW24N60DM2
STMicroelectronics
STWA57N65M5
STMicroelectronics
STW23N85K5
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STW56NM60N
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STW15N80K5
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STW21N65M5
STMicroelectronics
STW13N60M2
STMicroelectronics
STW26NM60ND
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STW20N95DK5
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STW62NM60N
STMicroelectronics
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel