casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STE60N105DK5
codice articolo del costruttore | STE60N105DK5 |
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Numero di parte futuro | FT-STE60N105DK5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ DK5 |
STE60N105DK5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1050V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 204nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6675pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 680W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STE60N105DK5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STE60N105DK5-FT |
SIPC03S2N03LX3MA1
Infineon Technologies
SIPC05N60C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC05N80C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC07N50C3X1SA1
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SIPC08N60C3X1SA1
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SIPC08N80C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC10N60C3X1SA2
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SIPC10N60CFDX1SA1
Infineon Technologies
SIPC10N80C3X1SA1
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SIPC14N50C3X1SA2
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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