casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STE60N105DK5
codice articolo del costruttore | STE60N105DK5 |
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Numero di parte futuro | FT-STE60N105DK5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ DK5 |
STE60N105DK5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1050V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 204nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6675pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 680W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STE60N105DK5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STE60N105DK5-FT |
SIPC03S2N03LX3MA1
Infineon Technologies
SIPC05N60C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC05N80C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC07N50C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC08N60C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC08N80C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC10N60C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC10N60CFDX1SA1
Infineon Technologies
SIPC10N80C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC14N50C3X1SA2
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel