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STMicroelectronics STE110NS20FD

Numero parte MFG
STE110NS20FD
quantità disponibile
37730 pezzi
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MESH OVERLAY™ MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STE110NS20FD specificazioni

codice articolo del costruttore STE110NS20FD
Numero di parte futuro FT-STE110NS20FD
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie MESH OVERLAY™
STE110NS20FD Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 504nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7900pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®
Pacchetto / caso ISOTOP
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STE110NS20FD Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STE110NS20FD-FT

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