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Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33 RGG

Numero parte MFG
TSM060N03PQ33 RGG
quantità disponibile
52950 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.15208
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-TSM060N03PQ33 RGG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM060N03PQ33 RGG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 62A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.4nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1342pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDFN (3x3)
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM060N03PQ33 RGG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TSM060N03PQ33 RGG-FT

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