casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD40NF10
codice articolo del costruttore | STD40NF10 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STD40NF10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ II |
STD40NF10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD40NF10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD40NF10-FT |
STD110N8F6
STMicroelectronics
STD110NH02LT4
STMicroelectronics
STD11N50M2
STMicroelectronics
STD11N60DM2
STMicroelectronics
STD11N65M2
STMicroelectronics
STD11N65M5
STMicroelectronics
STD11NM50N
STMicroelectronics
STD11NM60N
STMicroelectronics
STD11NM60ND
STMicroelectronics
STD120N4F6
STMicroelectronics
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel