casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD45P4LLF6AG
codice articolo del costruttore | STD45P4LLF6AG |
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Numero di parte futuro | FT-STD45P4LLF6AG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 |
STD45P4LLF6AG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±18V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3525pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 58W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD45P4LLF6AG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD45P4LLF6AG-FT |
STD11N65M5
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