casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD45P4LLF6AG

| codice articolo del costruttore | STD45P4LLF6AG |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-STD45P4LLF6AG |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 |
| STD45P4LLF6AG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±18V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3525pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 58W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| STD45P4LLF6AG Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | STD45P4LLF6AG-FT |

STD11N65M5
STMicroelectronics

STD11NM50N
STMicroelectronics

STD11NM60N
STMicroelectronics

STD11NM60ND
STMicroelectronics

STD120N4F6
STMicroelectronics

STD120N4LF6
STMicroelectronics

STD12N50DM2
STMicroelectronics

STD12N50M2
STMicroelectronics

STD12N60DM2AG
STMicroelectronics

STD12N60M2
STMicroelectronics

LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.

A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation

M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation

EP4CGX30CF23I7
Intel

5SGSED8N3F45I3LN
Intel

5SGXEB5R1F43I2N
Intel

AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation

LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX70HF35C2G
Intel