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STMicroelectronics STD26P3LLH6

Name: STD26P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD26P3LLH6
Price: 0.45672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (544 reviews)

Numero parte MFG: STD26P3LLH6

quantità disponibile: 87610 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.45672

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET P-CH 30V 12A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STD26P3LLH6.pdf

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STD26P3LLH6 specificazioni

codice articolo del costruttore	STD26P3LLH6
Numero di parte futuro	FT-STD26P3LLH6
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
STD26P3LLH6 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1450pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD26P3LLH6 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STD26P3LLH6-FT

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