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STMicroelectronics STD1HN60K3

Name: STD1HN60K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD1HN60K3
Price: 0.411048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (629 reviews)

Numero parte MFG: STD1HN60K3

quantità disponibile: 50220 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.411048

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: SuperMESH3™ MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STD1HN60K3.pdf

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STD1HN60K3 specificazioni

codice articolo del costruttore	STD1HN60K3
Numero di parte futuro	FT-STD1HN60K3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SuperMESH3™
STD1HN60K3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	27W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD1HN60K3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STD1HN60K3-FT

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