casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP4N62K3
codice articolo del costruttore | STP4N62K3 |
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Numero di parte futuro | FT-STP4N62K3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STP4N62K3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 Ohm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP4N62K3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP4N62K3-FT |
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Microsemi Corporation
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
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5CGXFC9A6U19A7N
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