codice articolo del costruttore | STD01N |
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Numero di parte futuro | FT-STD01N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STD01N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 6mA, 6A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5000 @ 6A, 4V |
Potenza - Max | 100W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P-5L |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD01N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD01N-FT |
ST2408HI
STMicroelectronics
BUT30V
STMicroelectronics
STE50DE100
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BUF460AV
STMicroelectronics
BUV298AV
STMicroelectronics
BUV298V
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BUV98AV
STMicroelectronics
ESM2012DV
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ESM2030DV
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ESM3030DV
STMicroelectronics
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation