casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STBR3012G2Y-TR
codice articolo del costruttore | STBR3012G2Y-TR |
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Numero di parte futuro | FT-STBR3012G2Y-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 |
STBR3012G2Y-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 30A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK HV |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STBR3012G2Y-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STBR3012G2Y-TR-FT |
CD214A-B220LR
Bourns Inc.
CD214A-B220R
Bourns Inc.
CD214A-B240LR
Bourns Inc.
CD214A-B240R
Bourns Inc.
CD214A-B260R
Bourns Inc.
CD214A-B320LR
Bourns Inc.
CD214A-B320R
Bourns Inc.
CD214A-B340LR
Bourns Inc.
CD214A-B360R
Bourns Inc.
CD2010-B160
Bourns Inc.
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel