casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CD2010-B160
codice articolo del costruttore | CD2010-B160 |
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Numero di parte futuro | FT-CD2010-B160 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CD2010-B160 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Chip, Concave Terminals |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2010 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD2010-B160 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CD2010-B160-FT |
CMSH3-60M TR13
Central Semiconductor Corp
CMR2U-02 TR13
Central Semiconductor Corp
CMR1-06 TR13
Central Semiconductor Corp
CMR2-02 TR13
Central Semiconductor Corp
CMSH3-40M TR13
Central Semiconductor Corp
CMR2U-04 TR13
Central Semiconductor Corp
CMR1U-01 TR13
Central Semiconductor Corp
CMSH1-20 TR13
Central Semiconductor Corp
CMR1U-10 TR13
Central Semiconductor Corp
CMR2U-06 TR13
Central Semiconductor Corp
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel