casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB5N80K5
codice articolo del costruttore | STB5N80K5 |
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Numero di parte futuro | FT-STB5N80K5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ |
STB5N80K5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 177pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB5N80K5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB5N80K5-FT |
STH3N150-2
STMicroelectronics
STH140N8F7-2
STMicroelectronics
STH180N10F3-2
STMicroelectronics
STH315N10F7-2
STMicroelectronics
STH110N10F7-2
STMicroelectronics
STH140N6F7-2
STMicroelectronics
STH145N8F7-2AG
STMicroelectronics
STH150N10F7-2
STMicroelectronics
STH175N4F6-2AG
STMicroelectronics
STH175N4F6-6AG
STMicroelectronics
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel