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STMicroelectronics STH315N10F7-2

Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH315N10F7-2
Price: 2.848272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (768 reviews)

Numero parte MFG: STH315N10F7-2

quantità disponibile: 30230 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.848272

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STH315N10F7-2.pdf

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STH315N10F7-2 specificazioni

codice articolo del costruttore	STH315N10F7-2
Numero di parte futuro	FT-STH315N10F7-2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
STH315N10F7-2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12800pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	315W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	H2Pak-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH315N10F7-2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STH315N10F7-2-FT

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