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STMicroelectronics STB30NM60ND

Numero parte MFG
STB30NM60ND
quantità disponibile
58550 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
FDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-STB30NM60ND
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie FDmesh™ II
STB30NM60ND Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB30NM60ND Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STB30NM60ND-FT

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